CHI È

Gaetano Foti (Catania, 1944) è a capo della Divisione di Fisica Applicata al Dipartimento di Fisica dell’Università di Catania (semiconduttori avanzati e processi di simulazione fisica su reattori semiconduttori CVD). Laureato in Fisica nel 1968, dal 1979 è professore ordinario di Fisica Applicata all’Università di Catania.

Foti è stato Fellow Researcher ai laboratori nucleari di CHALK RIVER e ai laboratori della BELL di Murray Hill (1970~1985). Fra il 1985 ed il 2000 ha condotto diverse conferenze e seminari presso i laboratori di CALTECH, BELL, e alle Università di Gottingen e Padova. Autore di circa 250 articoli sulla Fisica dei semiconduttori e sui processi di elaborazione microelettronica, ha pubblicato su riviste internazionali e ha condotto 20 conferenze plenarie invitato a conferenze e simposi internazionali.

Dal 1996 al 2002 è stato direttore del gruppo catanese dell’INFM (Istituto Nazionale di Fisica della Materia).

Dal 2002 al 2009, Foti è stato incaricato per la direzione dei lavori e per la progettazione dei percorsi espositivi della Città della Scienza di Catania.